硅铸锭坩埚
授权
摘要
本实用新型提供了一种硅铸锭坩埚，设有侧壁及底壁，所述底壁的内表面上设有若干均匀分布的凸部，所述凸部凸起于所述底壁的内表面，且所述凸部之间形成有供单晶籽晶块铺设的方形区域。本实用新型通过在坩埚底壁的内表面上设置若干凸部，并使得凸部分布在籽晶块之间的拼接位置处，利用凸部能很好的将籽晶块进行限位，这对籽晶块的铺设提供了极大的便利，能够快速定位籽晶块的铺设位置，节省籽晶铺设对准时间；同时，也避免了人为调节籽晶块位置带来的误差，提高了铺设位置的准确性。
基本信息
专利标题 ：
硅铸锭坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921202162.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-29
授权号 ：
CN210506583U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
顾媛媛王全志王栩生衡阳潘励刚郑旭然刑国强
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;洛阳阿特斯光伏科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
北京博思佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
张相钦
优先权 ：
CN201921202162.8
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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