单晶炉石英坩埚的升降装置
授权
摘要

本实用新型公开一种单晶炉石英坩埚的升降装置,包括底座,所述底座的上表面中部设有升降机构,升降机构的上端面设有旋转机构,旋转机构的输出轴连接有坩埚,底座的上端面设有螺杆,螺杆的外侧面上端套接有环形定位板,螺杆的外侧面靠近环形定位板的下表面的一端螺纹连接有第二螺母,螺杆的外侧面上端螺纹连接有第一螺母,本单晶炉石英坩埚的升降装置,结构紧凑,操作方便,使用时占用空间小,可以对工作中的坩埚起到很好的减震作用,同时又能对坩埚进行升降调节,通过带头螺柱可以将万向球轴承紧压在坩埚的外表面,方便了坩埚的定位,通过带头螺柱可以对大小不同的坩埚进行卡接定位。

基本信息
专利标题 :
单晶炉石英坩埚的升降装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920585430.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-26
授权号 :
CN210085624U
授权日 :
2020-02-18
发明人 :
魏海宁林希宪张艳辉
申请人 :
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市徐州经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京淮海知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
华德明
优先权 :
CN201920585430.2
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-02-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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