一种提高单晶少子寿命的石英坩埚
授权
摘要
本实用新型提供一种提高单晶少子寿命的石英坩埚，包括石英坩埚主体和α‑方石英层，所述α‑方石英层设于所述石英坩埚主体的内壁上，所述α‑方石英层为α‑方石英。本实用新型的有益效果是在石英坩埚具有α‑方石英层，该稳定层为的α‑方石英结构，减少析晶层脱落，减少硅溶液对石英坩埚腐蚀，提高石英坩埚使用寿命，做到降本增效。
基本信息
专利标题 ：
一种提高单晶少子寿命的石英坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921701780.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-12
授权号 ：
CN211367807U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
赵国伟徐强高润飞王林谷守伟王建平周泽杨志吴树飞刘振宇王鑫刘学皇甫亚楠杨瑞峰郭志荣
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921701780.7
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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