本发明公开了一种用于电荷钝化测试单晶硅片少子寿命的前处理系统和方法，所述前处理系统包括反应腔、供液装置、排液装置和加热装置，反应腔内设置有支架，硅片能够放置在支架上，供液装置通过供液管与反应腔连通，以使得供液装置能够向反应腔内输送清洗液以清洗放置在反应腔内的硅片，排液装置通过排液管与反应腔连通，以使得排液装置能够将清洗液从反应腔中排出，加热装置能够加热反应腔内的硅片。本发明提供的用于电荷钝化测试单晶硅片少子寿命的前处理系统和方法可以有效地消除机械传输装置的接触污染，从而消除测量设备自身污染对测试结果的干扰，达到利用少子寿命精确监控硅片制备过程中金属污染的目的。