一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种用介质波导加红外光源非接触测试半导体材料少子寿命及电阻率的装置。该装置的测试结果与常规的有接触方法一致、操作简便，能够测量不同厚度片状样品的少子寿命以及同一样品上不同部位少于寿命的差异。由于是非接触测试，对于抛光片、离子注入片以及经过各种化学处理的半导体薄片尤为适宜，能够做到无损伤、无沾污。在集成电路、半导体器件的生产过程中可用作材料检验和工艺监控的重要手段。
基本信息
专利标题 ：
一种非接触式微波测量半导体材料少子寿命的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86101518A
申请号 ：
CN86101518.5
公开（公告）日 ：
1987-02-11
申请日 ：
1986-07-25
授权号 ：
CN1003094B
授权日 ：
1989-01-18
发明人 ：
王宗欣
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
上海高校专利事务所
代理人 ：
王福新
优先权 ：
CN86101518.5
主分类号 ：
G01N22/00
IPC分类号 ：
G01N22/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N22/00
利用微波或者无线电波，即具有一毫米或更大的波长的电磁波测试或分析材料
法律状态
1991-11-20 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-10-18 ：
授权
1989-01-18 ：
审定
1987-02-11 ：
公开
1987-01-14 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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