新型半导体材料
专利权的终止
摘要
新型半导体材料涉及新型半导体材料系列Hg2Q2X2 (Q＝S，Se，Te；X＝Cl，Br，I)。本材料采用固相反应法制备，用HgX2和Q粉，真空密封后加热反应合成并同时制备单晶体。该晶体用于直流输电、太阳能电池以及用于光电开关。
基本信息
专利标题 ：
新型半导体材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1966401A
申请号 ：
CN200510119536.6
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈文通郭国聪邹建平赵振乾王明盛
申请人 ：
中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 ：
350002福建省福州市杨桥西路155号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN200510119536.6
主分类号 ：
C01B19/00
IPC分类号 ：
C01B19/00 C01G13/00 C30B29/46 C30B1/10 H01B1/06 H01L31/032
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B19/00
硒；碲；其化合物
法律状态
2016-01-06 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101640729252
IPC(主分类) : H01L 31/032
专利号 : ZL2005101195366
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20100818
终止日期 : 20141114
号牌文件序号 : 101640729252
IPC(主分类) : H01L 31/032
专利号 : ZL2005101195366
申请日 : 20051114
授权公告日 : 20100818
终止日期 : 20141114
2010-08-18 ：
授权
2009-03-11 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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