半导体材料内部缺陷检测装置
授权
摘要

本实用新型提供一种半导体材料内部缺陷检测装置。所述半导体材料内部缺陷检测装置包括红外显微镜本体;遮光盒,所述遮光盒设置在所述红外显微镜本体外,所述遮光盒的顶部为开口;滑口,所述滑口开设在所述遮光盒的一侧内壁上;放置板,所述放置板设置在所述滑口内,所述放置板的一侧延伸至所述遮光盒外,所述放置板的另一端延伸至所述遮光盒内;透光镜片,所述透光镜片镶嵌在所述放置板上,所述透光镜片的顶部和底部均延伸至所述放置板外,所述透光镜片位于所述遮光盒的一侧。本实用新型提供的半导体材料内部缺陷检测装置具有使用方便、能够对杂光进行遮挡的优点。

基本信息
专利标题 :
半导体材料内部缺陷检测装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020802724.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-14
授权号 :
CN212459400U
授权日 :
2021-02-02
发明人 :
刘伟阳
申请人 :
日月科技(辽阳)有限公司
申请人地址 :
辽宁省沈阳市经济开发区荣兴路中段
代理机构 :
深圳峰诚志合知识产权代理有限公司
代理人 :
赵爱婷
优先权 :
CN202020802724.9
主分类号 :
G01N21/3563
IPC分类号 :
G01N21/3563  G01N21/95  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/25
颜色;光谱性质,即比较材料对两个或多个不同波长或波段的光的影响
G01N21/31
测试材料在特定元素或分子的特征波长下的相对效应,例如原子吸收光谱术
G01N21/35
利用红外光
G01N21/3563
用于分析固体,及其样品制备
法律状态
2021-02-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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