检测半导体材料内部缺陷的红外装置
授权
摘要

检测半导体材料内部缺陷的红外装置,包括红外检测装置主体,红外检测装置主体上安装有两根横杆,两横杆的左端通过横板固定连接,横板的顶面开设圆孔,圆孔内设有转杆,转杆与圆孔通过轴承活动连接,转杆的上端固定安装齿轮,横杆的上方设有纵向的底板,底板上等距离纵向放置数个被检样品,底板的左侧面固定安装齿条,齿条与齿轮啮合。本装置的使用,能一次性放置数个被检样品,并通过旋转转杆,使得每个被检样品均能依次被检测,进而能省略多次拿取检测完的样品并放置新样品的步骤,进而减少工作人员多次重复动作所消耗的时间。

基本信息
专利标题 :
检测半导体材料内部缺陷的红外装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920521689.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-17
授权号 :
CN210015055U
授权日 :
2020-02-04
发明人 :
王琼
申请人 :
长沙师范学院
申请人地址 :
湖南省长沙市星沙经济技术开发区特立路9号
代理机构 :
济南旌励知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
王如意
优先权 :
CN201920521689.0
主分类号 :
G01N21/95
IPC分类号 :
G01N21/95  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2020-02-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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