半导体缺陷检测设备
实质审查的生效
摘要

本发明具体涉及一种半导体缺陷检测设备,所述半导体缺陷检测设备包括:第一光源发射器,所述第一光源发射器用于发射光束;光源分光镜,所述光源分光镜用于将所述第一光源发射器发射的光束分成至少两束光束,以使其中一束光束照射到晶圆的上表面且其余光束与所述其中一束光束的传播方向不同;至少两个第一光源折射镜,所述第一光源折射镜用于将所述其余光束折射到所述晶圆的侧面;信号接收器,所述信号接收器至少为两个,其中一个所述信号接收器用于接收所述晶圆的上表面的反射光源,其余所述信号接收器用于接收所述晶圆的侧面的反射光源。本发明的缺陷检测设备,无需翻转晶圆可得到晶圆上表面及侧面的缺陷数据,以减少检测时间,提高生产率。

基本信息
专利标题 :
半导体缺陷检测设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114518369A
申请号 :
CN202011303686.3
公开(公告)日 :
2022-05-20
申请日 :
2020-11-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金炳喆曲扬
申请人 :
中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
李晶
优先权 :
CN202011303686.3
主分类号 :
G01N23/00
IPC分类号 :
G01N23/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N23/00
利用波或粒子辐射来测试或分析材料,例如未包括在G01N3/00-G01N17/00、G01N 21/00 或G01N 22/00中的X射线或中子
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 23/00
申请日 : 20201119
2022-05-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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