本发明提供了一种快速多点检测半导体器件的金属硅化物层中是否存在缺陷的缺陷检测方法应用于半导体领域。其通过将现有的用于检测金属硅化物层缺陷问题的TEM检测换成YE在线检测，从而避免了TEM检测方法一次性只可以对晶圆中的一个芯片的一个点或多个点进行检测，而无法对同一片晶圆上的多个芯片上的多个点同时进行检测的问题。由于YE在线检测是使用芯片到芯片的检测方法，然后，在将多个芯片的检测图像进行对比，并将存在差异的地方确定为异常位置。因此，利用本发明提供的检测方法避免了TEM检测需要对晶圆进行切片，制成晶圆样片之后，才可对该样片进行检测，引起的该样片无法继续进行后续实验，不经济实惠，同时也不能保持测试的单一变量的问题。