硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法。该方法是将达到器件目标电阻率的硅单晶先用快中子流照射，然后进行硅片加工，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道热工序的扩散炉内，在高纯气氛的保护下，随炉升温到该工序要求的温度，进行第一道热工序。该工序结束后，随即完成了对硅片缺陷的控制。该方法可大大节省工时和能耗，提高成品率，改善器件电参数，对N型、P型、重掺硅都适用。
基本信息
专利标题 ：
硅半导体器件用硅片的缺陷控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1050792A
申请号 ：
CN90107176.5
公开（公告）日 ：
1991-04-17
申请日 ：
1990-08-20
授权号 ：
CN1017487B
授权日 ：
1992-07-15
发明人 ：
徐岳生张维连任丙彦鞠玉林李养贤梁金生
申请人 ：
河北工学院
申请人地址 ：
300130天津市红桥区丁字沽一号路
代理机构 ：
天津市机械工业管理局专利事务所
代理人 ：
李国茹
优先权 ：
CN90107176.5
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/324 C30B33/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
1999-10-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-04-14 ：
授权
1992-07-15 ：
审定
1991-04-17 ：
公开
1991-02-06 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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