一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法。所述测量方法包括如下步骤：(1)使用光致发光成像光谱仪对单晶硅片进行分层缺陷密度测试，得到每层的缺陷分布图像，得到含有缺陷的缺陷区间；(2)对步骤(1)得到的缺陷区间进行进一步分层缺陷测试，确定累计缺陷个数为M颗时，距离单晶硅片表面的深度，即完成单晶硅片无缺陷区深度的测量；所述M≥1，且M为整数。本发明提供的测量方法简便精准，无需破坏单晶硅片试样，且容易保存试样进行重复测量。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅片无缺陷区深度的测量方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114324394A
申请号 ：
CN202111627060.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王邃胡浩张俊宝宋洪伟陈猛
申请人 ：
上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区鼎松路150弄1-15号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
王艳斋
优先权 ：
CN202111627060.2
主分类号 ：
G01N21/95
IPC分类号 ：
G01N21/95 G01N21/63
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段，即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/84
专用于特殊应用的系统
G01N21/88
测试瑕疵、缺陷或污点的存在
G01N21/95
特征在于待测物品的材料或形状
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/95
申请日 : 20211228
申请日 : 20211228
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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