点缺陷模拟器、点缺陷模拟程序、点缺陷模拟方法、单晶硅的制...
公开
摘要
提出一种点缺陷模拟器，能够考虑培育单晶硅过程中的晶体内的热应力来求出单晶硅中的点缺陷的分布。本发明的点缺陷模拟器(1)使用考虑单晶硅中的热应力的影响的对流扩散方程式，通过CZ法计算提拉单晶硅过程中的孔隙及晶格间的硅的浓度分布，其特征在于，具备分析部(13)，所述分析部(13)将作为应力的项的系数的应力系数作为拟合参数，以与实验结果一致的方式调整计算结果。
基本信息
专利标题 ：
点缺陷模拟器、点缺陷模拟程序、点缺陷模拟方法、单晶硅的制造方法及单晶提拉装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616362A
申请号 ：
CN202080075986.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
末若良太
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
梅黎
优先权 ：
CN202080075986.2
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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