CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体材料的处理方法，特别是CMOS器件用硅片缺陷控制工艺，其工序是先将自然直拉硅单晶进行中子辐照，然后进行切、磨、抛等硅片加工，合格的硅抛光片清洗处理后，直接进行CMOS集成电路工艺制造的第一道热工序，该工艺稳定、重复性好，可大大节约工时和能耗。用该工艺处理的硅片制造CMOS器件成品率及电参数均得到大大提高。因此，可广泛用于CMOS器件的制造。
基本信息
专利标题 ：
CMOS器件用硅片的缺陷控制工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035917A
申请号 ：
CN88101555.5
公开（公告）日 ：
1989-09-27
申请日 ：
1988-03-19
授权号 ：
CN1010907B
授权日 ：
1990-12-19
发明人 ：
徐岳生张维连任丙彦林秀俊鞠玉林吕淑求崔德升
申请人 ：
河北工学院
申请人地址 ：
天津市红桥区丁字沽一号路
代理机构 ：
天津市机械工业管理局专利事务所
代理人 ：
李国茹
优先权 ：
CN88101555.5
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/316 C30B33/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1998-05-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-08-14 ：
授权
1990-12-19 ：
审定
1989-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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