一种硅片脱附工艺

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

本发明提出一种新的硅片脱附工艺，该工艺包括两个步骤：用待起辉气体吹扫硅片；用上述步骤中的气体进行起辉。其中起辉时的气体流量为25－500sccm，腔室内的压强为10－85mT，上电极功率为150－850W。采用本发明的静电卡盘脱附方法，可以很好的去除硅片表面的残留物和颗粒，并且卡盘可以平稳脱附。

基本信息

专利标题：

一种硅片脱附工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1851857A

申请号：

CN200510126377.2

公开（公告）日：

2006-10-25

申请日：

2005-12-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张庆钊

申请人：

北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

申请人地址：

100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司

代理人：

蔡世英

优先权：

CN200510126377.2

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/683 C23F1/12 C23F4/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2018-08-10 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京市经济技术开发区文昌大道8号

2008-10-01 ：

授权

2006-12-20 ：

实质审查的生效

2006-10-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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