一种硅片卸载工艺
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种硅片卸载工艺，其步骤包括吹扫和卸载，其中吹扫步中工艺气体为O2和He的混合气体，卸载步中工艺气体为O2。本发明的硅片卸载工艺既可以有效的释放硅片上残留的电荷，还可以去除聚合物，降低颗粒和缺陷的数量，提高了产品的良率和产率。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性，还可以避免系统升级、节约大笔开支。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片卸载工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851864A
申请号 ：
CN200510126457.8
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白志民
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王常风
优先权 ：
CN200510126457.8
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065 H01L21/683 C23F1/12 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2008-07-09 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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