超高平坦度硅片的生产工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种超高平坦度硅片的生产工艺，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：第一步：进行切片加工硅片，并完成外圆倒角和磨片加工过程。第二步：将粗加工的硅片进行纯碱腐蚀。第三步：然后将硅片洗净，再采用的设备型号为KV‑J888进行多晶硅背封的工艺过程。第四步：硅片进行边缘抛光，接着在硅片背面旋涂一薄层蜡膜，利用蜡膜的粘合作用将硅片贴附至氧化铝或碳化硅陶瓷板，然后再进行单面抛光。第五步：单面抛光完成后，进行去蜡洗净及最终洗净。具有平坦度好和质量稳定性高的特点。降低硅片背面的微观起伏，解决了蜡膜涂覆不连续、贴附滑片的问题。同时由于多晶硅表面对光的无规散射，降低了硅片的背面光泽度。
基本信息
专利标题 ：
超高平坦度硅片的生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446766A
申请号 ：
CN202011222954.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王鸣沈福林张聪高洪涛
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN202011222954.9
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201105
申请日 : 20201105
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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