硅片清洗装置及硅片双面清洗设备
授权
摘要
本实用新型公开了硅片清洗装置及硅片双面清洗设备，硅片清洗装置均包括传送机构、固定装置和清洗机构；固定装置为真空吸附装置，真空吸附装置包括真空吸附平台和真空发生装置；清洗机构包括喷淋结构、吹气烘干结构以及滚刷；滚刷包括转轴、驱动装置和控制器；硅片清洗装置还包括硅片检测装置；辅助传送装置包括第三传送机构和翻转轮；硅片双面清洗设备包括第一清洗装置、第二清洗装置和辅助传送装置。与现有技术比较，本实用新型大大增加了生产效率，减轻了人工成本。
基本信息
专利标题 ：
硅片清洗装置及硅片双面清洗设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021381043.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212461617U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
左国军柯国英李雄朋
申请人 ：
常州捷佳创精密机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市新北区机电工业园宝塔山路9号
代理机构 ：
深圳市康弘知识产权代理有限公司
代理人 ：
万景旺
优先权 ：
CN202021381043.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/677 H01L21/683
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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