硅片清洗花篮
授权
摘要
本实用新型涉及一种硅片清洗花篮，其包括底壁以及两个相对设置的第一侧壁；所述第一侧壁的内表面设有若干个沿所述硅片清洗花篮的深度方向延伸的限位槽，且两个所述第一侧壁上的限位槽相对设置；所述限位槽的内侧壁呈不平坦状。上述硅片清洗花篮，限位槽的两个侧壁呈不平坦状，减小了硅片与限位槽的内侧壁的接触面积，从而减小硅片与限位槽的内侧壁之间的水的表面张力，使得硅片与限位槽的内侧壁之间的水能在自身重力的作用下更加快速的下落，从而加快硅片沥水过程。
基本信息
专利标题 ：
硅片清洗花篮
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920963349.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-25
授权号 ：
CN210110727U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
黎彬
申请人 ：
阜宁协鑫光伏科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省盐城市阜宁县经济开发区香港路888号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
闫晓欣
优先权 ：
CN201920963349.3
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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