降本增效的硅片边缘抛光工艺
授权
摘要

本发明涉及一种降本增效的硅片边缘抛光工艺,所属硅片制造技术领域,包括将硅片通过机械手取片,先对背面进行端面位抛光,完成抛光后进行喷淋清洗。接着对将硅片进行翻面,对正面进行端面位抛光,并进行喷淋清洗。外周边抛光过程从背面侧边的A2段开始进刀,经过BC段,再加工正面侧边的A1段,接着从A1段的尾端折回继续抛光从BC段的上端退刀,完成硅片外周边抛光过程后进行喷淋清洗。硅片两端通过单方向循环运行的精抛带,此时转轴带动磁盘固定的硅片进行旋转。将完成抛光工艺的硅片通过机械手取片放置到溢流槽进行保管。具有效率高、加工周期短和质量稳定性好的特点。解决了确保边抛质量同时缩短边抛时间的问题。实现产能提升并降低成本的作用。

基本信息
专利标题 :
降本增效的硅片边缘抛光工艺
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113084598A
申请号 :
CN202110361875.4
公开(公告)日 :
2021-07-09
申请日 :
2021-04-02
授权号 :
CN113084598B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
王鸣
申请人 :
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 :
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
沈相权
优先权 :
CN202110361875.4
主分类号 :
B24B1/00
IPC分类号 :
B24B1/00  B24B21/00  
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B24
磨削;抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺(用电蚀入B23H;磨料或有关喷射入B24C;电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00;磨具磨损表面的修理或调节;磨削,抛光剂或研磨剂的进给
B24B1/00
磨削或抛光的工艺;与此工艺有关的所用辅助设备
法律状态
2022-04-05 :
授权
2021-07-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B24B 1/00
申请日 : 20210402
2021-07-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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