一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺
公开
摘要
本发明公开了一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺，包括以下步骤：(1)对硅片进行寻参处理：使用边缘抛光机寻找硅片的V槽，使硅片的V槽与槽口抛光布对准；(2)对硅片的V槽进行抛光处理；(3)将完成V槽抛光的硅片进行对心处理，使硅片圆心与机台圆心对准；(4)将完成对心处理的硅片进行圆边边缘抛光处理，所使用的抛光鼓包括斜边抛光鼓和顶端抛光鼓，斜边抛光鼓加工角度范围为25°～70°，顶端抛光鼓加工角度为70°～90°。本发明通过改进圆边边缘抛光工艺，使用特殊构造的抛光鼓，并控制其中斜边抛光鼓与顶端抛光鼓的加工角度范围，使硅片整个边缘均匀抛光，避免固定角度的抛光鼓对边缘造成的局部过度抛光或失效抛光。
基本信息
专利标题 ：
一种改善硅片R型轮廓的边缘抛光工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300339A
申请号 ：
CN202111502766.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
路一辰库黎明王玥陈海滨陈信刘云霞闫志瑞
申请人 ：
山东有研艾斯半导体材料有限公司
申请人地址 ：
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红路6596号中元科技创新创业园A座908室
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀青
优先权 ：
CN202111502766.6
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 B24B37/11
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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