一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺，包括涂蜡贴附、粗抛、中抛、精抛、剥离及去蜡清洗工序。通过在抛光布不同布时期间，调整抛光压力、中精抛时间以及抛光液流量等工艺条件弥补布时中后期修复损伤层能力不足：中精抛布时周期均为80h，在布时50h之前采用一贯CMP工艺：中抛压力2.2～2.4kg/cm2，中抛光液流量1.9～2.1L/min，精抛光液流量0.4～0.6L/min，中抛时间8～12min，精抛时间7～9min，抛头和定盘转速35～45rpm；在布时50h之后，中抛压力提高到2.5～2.7kg/cm2，中抛光液流量提高到2.4～2.6L/min，精抛光液流量提高到0.7～0.9L/min，中抛时间延长到15～17min，精抛时间延长到9～11min,粗抛抛头和定盘转速55～65rpm，中精抛抛头和定盘转速35～45rpm。通过改进降低抛光雾的发生率，并在不降低抛光布使用寿命情况下使得整个布时周期过程均保持高抛光质量。
基本信息
专利标题 ：
一种降低硅片抛光雾发生率的CMP工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446777A
申请号 ：
CN202111544330.3
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈凯刘西安
申请人 ：
上海中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市宝山区山连路181号1幢
代理机构 ：
上海申浩律师事务所
代理人 ：
赵建敏
优先权 ：
CN202111544330.3
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20211216
申请日 : 20211216
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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