一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种能有效减少等离子损伤的硅片卸载工艺，它是直接通入载气并起辉。本发明所述的硅片卸载工艺能有效减少对硅片元件造成的等离子损伤，并缩短工艺时间。
基本信息
专利标题 ：
一种减少等离子损伤的硅片卸载工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851849A
申请号 ：
CN200510126273.1
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王铮
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
练光东
优先权 ：
CN200510126273.1
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 H01L21/3065
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2018-08-17 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-06-25 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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