一种减少硅片划痕的吸盘
授权
摘要
本实用新型涉及硅片上下料技术领域，具体是一种减少硅片划痕的吸盘，包括吸盘本体，所述吸盘本体顶端设置有凸台，所述凸台上设置有若干安装孔，所述凸台底部设置有盖板，所述盖板内侧设置有吸附机构，所述盖板左侧设置有工作面，本实用新型，通过使工作面与凸台左端共面，使工作面的加工变得更加简单，大大提高了工作面的平整度和粗糙度，保证了装置所吸附硅片的品质，通过设置吸附机构，可以将硅片牢牢吸附在工作面上，密封性好，不会出现漏气现象，不会影响吸盘的吸力。
基本信息
专利标题 ：
一种减少硅片划痕的吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921450509.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-03
授权号 ：
CN210167340U
授权日 ：
2020-03-20
发明人 ：
施鲁鸣吕群峰
申请人 ：
嘉兴市耐思威精密机械有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路500号B12
代理机构 ：
北京专赢专利代理有限公司
代理人 ：
于刚
优先权 ：
CN201921450509.0
主分类号 ：
H01L21/677
IPC分类号 ：
H01L21/677
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的，例如在不同的工作站之间
法律状态
2020-03-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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