一种硅片边缘刻蚀专用吸盘
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅片边缘刻蚀专用吸盘，包括吸盘主体，所述吸盘主体的顶端中间部位安装有定位机构，所述吸盘主体的内部安装有真空腔室，所述吸盘主体的底端安装有密封圈安装槽，本实用新型可以最大程度保证刻蚀过程中对背封膜的保护，能让真空分布更加均匀，吸附后硅片平整，有利于刻蚀效果，而且水洗时吸盘自身的残酸更易清洗，且带水量更少，吸盘的实用性十分高。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片边缘刻蚀专用吸盘
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122933072.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
CN216698324U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
马胜南
申请人 ：
南轩（天津）科技有限公司
申请人地址 ：
天津市宝坻区塑料制品工业区广仓道9号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122933072.X
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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