新型边缘刻蚀反应装置
授权
摘要
一种新型边缘刻蚀反应装置，包括：刻蚀系统，刻蚀系统包括:下电极;上电极;位于下电极和上电极之间的射频隔离环;射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上电极外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙；传片系统；刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起；光学定位系统，光学定位系统包括：校准晶圆；光学探测部件；光学接收部件；修正单元，所述修正单元适于根据光学接收部件对校准晶圆和晶圆分别获取的光信息的差别修正晶圆的位置。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高对晶圆边缘区域的刻蚀重复性。
基本信息
专利标题 ：
新型边缘刻蚀反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021249588.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212277162U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
吴堃杨猛
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021249588.1
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01L21/68 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
