新型边缘刻蚀反应装置
授权
摘要
一种新型边缘刻蚀反应装置，包括：位于主体腔内的上电极和下电极，上电极和下电极相对设置，上电极和下电极施加的射频频率相同,上电极和下电极之间的电位幅值差小于等于第一阈值，上电极和下电极之间的电位相位差小于等于第二阈值；侧面电极连接件，侧面电极连接件具有第一位置状态和第二位置状态,侧面电极连接件在第一位置状态下环绕上电极和下电极的侧部，侧面电极连接件在第二位置状态下环绕上电极的侧部或者下电极的侧部；上电极和下电极与所述侧面电极连接件之间电压差用于等离子体放电。所述新型边缘刻蚀反应装置能提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和效率。
基本信息
专利标题 ：
新型边缘刻蚀反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021252815.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212136401U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
吴堃
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021252815.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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