新型边缘刻蚀反应装置
授权
摘要
一种新型边缘刻蚀反应装置，包括：传片系统和刻蚀系统；传片系统包括:腔主体;位于腔主体中的支撑移动平台,支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;刻蚀系统包括:下电极;上电极;下射频隔离环;上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间有间隙;刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起;晶圆的边缘区域适于通过间隙延伸至射频隔离环侧部的下电极和上电极之间。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和费效比。
基本信息
专利标题 ：
新型边缘刻蚀反应装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021249590.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212136400U
授权日 ：
2020-12-11
发明人 ：
吴堃
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021249590.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-12-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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