改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法
授权
摘要
本发明提供了一种改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法，包括：向刻蚀机台的腔室内通入第一混合气体，用于去除所述腔室内的聚合物，所述腔室内的压力低于2000mt，向所述腔室内通入第二混合气体，用于进一步去除所述腔室内的聚合物，第一混合气体的压力降低，采用低压力的工艺可以提高所述腔室抽气的速度，加快去除聚合物，从而避免聚合物遇水汽凝结而在晶圆边缘造成缺陷，最终提高产品良率。
基本信息
专利标题 ：
改善晶圆边缘刻蚀机台内缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110600364A
申请号 ：
CN201910891603.8
公开（公告）日 ：
2019-12-20
申请日 ：
2019-09-20
授权号 ：
CN110600364B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
史航谢岩
申请人 ：
武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹廷廷
优先权 ：
CN201910891603.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20190920
申请日 : 20190920
2019-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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