一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法
公开
摘要
本发明提供一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法，提供均匀分布有像素区和逻辑区的晶圆，将晶圆的表面划分为第一至第四象限；将晶圆的第二象限正对所述刻蚀机台的悬臂梁置于刻蚀腔；对晶圆进行刻蚀，在第一至第四象限的像素区和逻辑区形成相同深度的STI区；将晶圆移出刻蚀机台，并对像素区的STI区覆盖光刻胶；将晶圆重新置于刻蚀腔的静电吸盘上，将晶圆除第二象限以外的其他任意一个象限正对悬臂梁；对晶圆第一至第四象限的逻辑区的STI区继续刻蚀，形成深STI区。本发明将利用STI刻蚀与深STI刻蚀时的角度匹配或者STI及深STI刻蚀时旋转角度来改善面内深度均匀性，从而避免HDP填充出现空洞。
基本信息
专利标题 ：
一种通过STI刻蚀工艺改善HDP填充缺陷的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497089A
申请号 ：
CN202011252721.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
魏峥颖范学东吴智勇
申请人 ：
上海华力微电子有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区高斯路568号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202011252721.3
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L21/762
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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