避免微沟道现象的栅刻蚀工艺
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明提供了一种避免微沟道现象的栅刻蚀工艺，包括BT步、主刻步、过刻步，其中主刻步中采用CxFy (X＞3，Y＞5)/CO2混合气体取代含Cl气体。采用本发明所述的栅刻蚀工艺可以在保证刻蚀剖面陡直的前提下，有效避免微沟道现象出现。
基本信息
专利标题 ：
避免微沟道现象的栅刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851882A
申请号 ：
CN200510126267.6
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨柏
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
练光东
优先权 ：
CN200510126267.6
主分类号 ：
H01L21/3213
IPC分类号 ：
H01L21/3213 H01L21/3065 H01L21/28 C23F4/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
H01L21/321
后处理
H01L21/3213
对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的驳回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007017139
IPC(主分类) : H01L 21/3213
专利申请号 : 2005101262676
公开日 : 20061025
号牌文件序号 : 101007017139
IPC(主分类) : H01L 21/3213
专利申请号 : 2005101262676
公开日 : 20061025
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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