一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供了一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺，其包括贯穿步、主刻步、基点刻蚀步和过刻步。该工艺能够在不改变硬件设计的前提下，仅通过在硅栅刻蚀工艺主刻步骤后增加基点刻蚀步骤，在保证刻蚀剖面陡直的同时，有效避免了微沟槽现象的出现，满足先进栅刻蚀工艺的需要。这种方法简单易行，不仅避免了系统硬件设计所增加的变数、保证工艺的稳定性；还可以避免系统升级、节约大笔开支。
基本信息
专利标题 ：
一种能够避免微沟槽现象的硅栅刻蚀工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1851873A
申请号 ：
CN200510126299.6
公开（公告）日 ：
2006-10-25
申请日 ：
2005-12-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶林
申请人 ：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请人地址 ：
100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
向华
优先权 ：
CN200510126299.6
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/3065 C23F1/10
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2018-08-10 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/306
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
变更后 : 北京北方华创微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号
变更后 : 100176 北京经济技术开发区文昌大道8号
2008-06-25 ：
授权
2006-12-20 ：
实质审查的生效
2006-10-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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