硅栅NMOS器件、硅栅CMOS器件以及CMOS电路

授权

摘要

本实用新型公开一种硅栅NMOS器件、硅栅CMOS器件以及CMOS电路。其中该硅栅NMOS器件包括：衬底；位于衬底中的阱区；该阱区包括有源区以及用于隔离有源区的场区，其中有源区包括源区、漏区、位于源区与漏区之间的沟道区，场区处形成有场氧化层；位于阱区中的P+保护环，P+保护环在衬底上的正投影覆盖有源区和氧化层的交界在衬底上的正投影，且P+保护环分别与源区和漏区间隔开。本实用新型提供的硅栅NMOS器件，通过在阱区内设置P+保护环，避免辐射环境下“鸟嘴区”硅表面反型，解决了因辐照所导致的静态功耗急剧增大甚至失效问题。

基本信息

专利标题：

硅栅NMOS器件、硅栅CMOS器件以及CMOS电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922390211.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-26

授权号：

CN211350663U

授权日：

2020-08-25

发明人：

于江勇李孟瑶吕宗森张燏赵磊吴迪苑宁

申请人：

北京宇翔电子有限公司

申请人地址：

北京市东城区龙潭路3号

代理机构：

北京正理专利代理有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN201922390211.1

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L29/06 H01L27/092