电子器件和电路
授权
摘要
本文公开了一种电子器件和电路。该电子器件可包括：高电子迁移率晶体管的漏极电极，该漏极电极覆盖在沟道层上面；源极电极，该源极电极覆盖在沟道层上面，其中源极电极的最下部分覆盖在沟道层的至少一部分上面；和高电子迁移率晶体管的栅极电极，该栅极电极覆盖在沟道层上面；和电流限制控制结构，该电流限制控制结构控制通过漏极电极与源极电极之间的电流。电流限制控制结构可设置在源极电极与栅极电极之间，电流限制控制结构可以耦接到源极电极和第一高电子迁移率晶体管，并且电流限制控制结构具有阈值电压。电流限制控制结构可以是肖特基门控HEMT或MISHEMT。该电路可以包括高电子迁移率晶体管和电流限制控制结构。
基本信息
专利标题 ：
电子器件和电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921130215.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-18
授权号 ：
CN210136874U
授权日 ：
2020-03-10
发明人 ：
皮特·莫昂阿布舍克·班纳吉P·范米尔贝克
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琳
优先权 ：
CN201921130215.X
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L29/778 H01L29/41
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
2020-03-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
