集成电路器件
授权
摘要
本公开的实施例提供了一种集成电路器件。半导体衬底包括具有上表面的掺杂区。掺杂区可以包括二极管的传导端子(诸如阴极)或晶体管的传导端子(诸如漏极)。在掺杂区处提供硅化物层。该硅化物层具有仅部分覆盖掺杂区的上表面的区域的区域。部分区域覆盖有助于调制集成电路器件的阈值电压和/或漏电流。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920994542.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210123732U
授权日 ：
2020-03-03
发明人 ：
T·贝德卡尔拉茨L·德孔蒂P·加利
申请人 ：
意法半导体有限公司
申请人地址 ：
法国蒙鲁
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN201920994542.3
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-03-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
