集成电路器件
公开
摘要
一种集成电路器件包括：鳍型有源区，设置在衬底上并且沿第一水平方向延伸；栅极线，设置在所述鳍型有源区上并且沿与所述第一水平方向相交的第二水平方向延伸，所述栅极线包括连接突出部分和主栅极部分，所述连接突出部分包括处于距所述衬底的第一垂直高度处的突出顶表面，所述主栅极部分包括自所述连接突出部分起沿所述第二水平方向延伸的凹陷顶表面，所述凹陷顶表面处于低于所述第一垂直高度的第二垂直高度处；栅极接触，设置在所述栅极线上并且连接到所述连接突出部分；源极/漏极区，设置在所述鳍型有源区上并且与所述栅极线相邻设置；和源极/漏极接触，设置在所述源极/漏极区上。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551443A
申请号 ：
CN202111249646.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-10-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴容喜姜明吉权义熙金胜圭金雅煐宋映锡
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111249646.X
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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