集成电路器件
公开
摘要
一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628491A
申请号 ：
CN202111211674.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔珉姬郑谞珍金锡勋金正泽朴判贵梁炆承河龙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111211674.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/08 H01L29/10 H01L29/423 H01L27/088 B82Y40/00
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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