HEMT功率器件和集成电路
授权
摘要
本公开的实施例涉及HEMT功率器件和集成电路。功率器件由彼此级联的D模式HEMT和MOSFET形成，并且被集成在具有基底主体和基底主体上的异质结构层的芯片中。D模式HEMT包括形成在异质结构层中的沟道区域；MOSFET包括形成在基底主体中的第一和第二导电区域，并且包括形成在异质结构层中的绝缘栅极区域，该绝缘栅极区域沿着横向方向与D模式HEMT电绝缘。第一金属区域延伸穿过异质结构层，在沟道区域的侧面并且与沟道区域和第一导电区域电接触。
基本信息
专利标题 ：
HEMT功率器件和集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020144357.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-22
授权号 ：
CN211700278U
授权日 ：
2020-10-16
发明人 ：
D·G·帕蒂
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
王茂华
优先权 ：
CN202020144357.8
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L29/778 H01L21/8258
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2020-10-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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