集成电路器件
公开
摘要
一种集成电路器件包括：衬底，在其中具有有源区；在衬底上的位线；以及直接接触，在有源区和位线之间延伸并将位线电连接到有源区的一部分。还提供间隔物结构，其在位线的侧壁上以及在直接接触的侧壁上延伸。提供场钝化层，其在直接接触的侧壁与间隔物结构之间延伸。间隔物结构和场钝化层可以包括不同的材料，并且场钝化层可以与直接接触的侧壁直接接触。场钝化层可以包括非化学计量硅氧化物SiOx，其中0.04≤x≤0.4，并且可以具有约或更小的厚度。
基本信息
专利标题 ：
集成电路器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300468A
申请号 ：
CN202111171256.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔埈荣
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
屈玉华
优先权 ：
CN202111171256.5
主分类号 ：
H01L27/11568
IPC分类号 ：
H01L27/11568 H01L27/11563 H01L21/768
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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