半导体集成电路器件

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

提供一种能够增加电容器电容的半导体集成电路元件。根据本发明的实施例的半导体集成电路元件包括：电路单元，形成在半导体衬底之上；以及电容器，形成在半导体衬底之上。电容器包括：下电容电极，由与电路单元相连的下层布线线路组成；电容绝缘膜，覆盖下层布线线路的上表面和侧表面；以及上电容电极，形成在电容绝缘膜之上，下电容电极至少包括由下层布线线路形成的电源线和地线之一。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819210A

申请号：

CN200610004223.0

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

二阶堂裕文平林诚滋

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

朱进桂

优先权：

CN200610004223.0

主分类号：

H01L27/11

IPC分类号：

H01L27/11 H01L27/108 H01L27/04