半导体器件及其有关集成电路
专利权的终止
摘要
一种薄膜晶体管或集成电路，包括一绝缘基片，在该基片上形成的TFTs(薄膜晶体管)，以及多层导电互连。该电路具有成为栅电极与栅互连的第一金属化层。第一金属化层的表面经阳极氧化，氧化形成第一金属化表面上的绝缘被覆膜，变成源与漏电极或导电互连的第二金属层,于是直接或经过一层间绝缘层形成在绝缘被覆膜上。随之改进成品率及改善可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其有关集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1254955A
申请号 ：
CN99120393.3
公开（公告）日 ：
2000-05-31
申请日 ：
1992-09-25
授权号 ：
CN1143395C
授权日 ：
2004-03-24
发明人 ：
山崎舜平竹村保彦间濑晃鱼地秀贵
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN99120393.3
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L29/786
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法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101348518668
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL991203933
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20040324
期满终止日期 : 20120925
号牌文件序号 : 101348518668
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL991203933
申请日 : 19920925
授权公告日 : 20040324
期满终止日期 : 20120925
2004-03-24 ：
授权
2000-05-31 ：
公开
2000-05-03 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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