半导体集成电路器件及其制造工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在此公开的MOSFET具有一个与源区和漏区的导电类型相同的低杂质浓度的半导体区域，以及与栅极分离的高杂质浓度的源区和漏区，由此减小短沟道效应并提高漏结的击穿电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件及其制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108671A
申请号 ：
CN85108671.3
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-11-27
授权号 ：
CN1004777B
授权日 ：
1989-07-12
发明人 ：
池田修二小池淳义目黑怜奥山辛祐
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
张卫民
优先权 ：
CN85108671.3
主分类号 ：
H01L27/04
IPC分类号 ：
H01L27/04 H01L21/72
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
法律状态
1998-01-21 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-03-14 ：
授权
1989-07-12 ：
审定
1986-06-10 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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