电荷补偿半导体器件及相关制造工艺

授权

摘要

在第一导电类型的半导体衬底上集成的包括多个基本元件的功率电子器件(30)，每个基本单元包括在所述半导体衬底(100)上形成的第一导电类型的半导体层(20)上实现的第二导电类型的体区域(40)，以及位于所述体区域(40)之下在所述半导体层(20)中实现的第一导电类型的柱区域(50)，其中所述半导体层(20)包括多个半导体层(21、22、23、24)，它们彼此叠置，每一层的电阻率不同于其他层的电阻率，且其中所述柱区域(50)包括多个掺杂的子区域(51、52、53、54)，每一个在所述半导体层(21、22、23、24)之一中实现，其中每个掺杂的子区域(51、52、53、54)的电荷量平衡所述半导体层(21、22、23、24)的电荷量。

基本信息

专利标题：

电荷补偿半导体器件及相关制造工艺

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101128938A

申请号：

CN200680005986.5

公开（公告）日：

2008-02-20

申请日：

2006-02-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

M·G·萨吉奥F·弗里西纳

申请人：

意法半导体股份有限公司

申请人地址：

意大利布里安扎

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200680005986.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78