具有深槽电荷补偿区的半导体器件及方法
授权
摘要
在一个实施方案中，一半导体器件形成在半导体材料体中。该半导体器件包括一电荷补偿槽，该电荷补偿槽形成在邻近该器件的有源部分。电荷补偿槽包括一个槽，该槽被填以相反导电类型的层的各种半导体层。
基本信息
专利标题 ：
具有深槽电荷补偿区的半导体器件及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822389A
申请号 ：
CN200510022820.1
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
加里·H·莱厄切尔特彼得·J·兹德贝尔戈登·M·格里芙娜
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200510022820.1
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
相关图片
法律状态
2011-03-16 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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