电荷耦合器件
专利申请的视为撤回
摘要

电荷耦合器件有一串行寄存器和并行段。串行寄存器有电荷存储电极和电荷输电极,并行段的沟道横向延伸过串行寄存器。并行段的电荷存储电极沿着沟道方向彼此隔开,以得到电荷存储阱各自的行,电荷存储阱横向延伸于沟道,并行段还有用来在电荷存储阱相邻行之间传输电荷的电荷传输电极;有用来在串行寄存器和电荷存储阱相邻行之间,传输电荷的传输门,电荷存储阱由沟道和并行段的第一电荷存储电极至少在每一沟道(1a,1b)上,第一电荷存储电极(1a)的宽度要比后面的电荷存储电极(12a,…Na)的宽度宽。

基本信息
专利标题 :
电荷耦合器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1031156A
申请号 :
CN88106691.5
公开(公告)日 :
1989-02-15
申请日 :
1988-07-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
阿里·斯洛
申请人 :
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 :
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 :
中国专利代理有限公司
代理人 :
肖掬昌
优先权 :
CN88106691.5
主分类号 :
H01L27/10
IPC分类号 :
H01L27/10  H01L29/40  H01L29/76  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
1993-07-21 :
专利申请的视为撤回
1990-07-25 :
实质审查请求
1989-02-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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