具有深开孔的半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
提供一种制造具有深开孔的半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成绝缘层；选择性蚀刻绝缘层以形成第一开孔；扩大第一开孔的面积；在扩大的第一开孔的侧壁上形成抗弯隔离物；以及蚀刻残留在扩大的第一开孔下方的部分绝缘层以形成第二开孔。
基本信息
专利标题 ：
具有深开孔的半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892991A
申请号 ：
CN200510097533.7
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵瑢泰李海朾曹祥薰
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097533.7
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599918800
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2005100975337
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20131230
号牌文件序号 : 101599918800
IPC(主分类) : H01L 21/311
专利号 : ZL2005100975337
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090325
终止日期 : 20131230
2009-03-25 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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