半导体器件及其制造方法
授权
摘要
一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供基底以及位于基底上的钝化层，第一区域基底内具有第一焊垫，第二区域基底内具有第二焊垫，且在同样的曝光显影条件下，第一焊垫上方的钝化层的显影速率比第二焊垫上方的钝化层的显影速率快；对第二焊垫上方的钝化层进行第一曝光处理和第一显影处理，去除部分厚度的钝化层，在第二区域的钝化层内形成第一开口；对第一焊垫上方的钝化层进行第二曝光处理；对第一开口下方以及第一焊垫上方的钝化层进行第二显影处理，在第一时长内去除第一焊垫上方的钝化层，在第二时长内去除位于第一开口下方的钝化层，且第二时长与第一时长之间的时间差在工艺允许阈值内。本发明提高半导体器件的制造良率。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111162007A
申请号 ：
CN201811324375.8
公开（公告）日 ：
2020-05-15
申请日 ：
2018-11-08
授权号 ：
CN111162007B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
孟津薛兴涛文韬章国伟李兵何智清
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号
代理机构 ：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
高静
优先权 ：
CN201811324375.8
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 G03F7/30 G03F7/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2020-06-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/311
申请日 : 20181108
申请日 : 20181108
2020-05-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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