半导体器件的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种半导体器件的制造方法，在执行第三等离子体刻蚀工艺以刻蚀氮氧化层与氮化层之前，先执行第二等离子体刻蚀工艺，以去除部分厚度的氮氧化层，可以减少氮氧化层与氮化层的总厚度，后续执行第三等离子体刻蚀工艺时，可以减少氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间，由此避免因图形化的光刻胶层返工造成的氮氧化层和氮化层的总刻蚀时间超出预定的刻蚀时间，从而解决因机台停机而造成的器件良率低的问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114023632A
申请号 ：
CN202210019518.4
公开（公告）日 ：
2022-02-08
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
CN114023632B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
廖军沈安星
申请人 ：
广州粤芯半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区凤凰五路28号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯启正
优先权 ：
CN202210019518.4
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-02-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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