半导体集成电路和半导体器件
专利权的终止
摘要
一种加快了对源极/漏极电极电压变化的响应的半导体集成电路。LDMOS晶体管包括：形成在第一导电类型的半导体衬底中的第二导电类型的第一阱区；形成在第一阱区中的第一导电类型的第二阱区；形成在第二阱区中的第二导电类型的第三阱区；形成在第二阱区中的漏极区域；形成在第三阱区中的源极区域；隔着栅极绝缘膜形成在漏极区域与源极区域之间的第三阱区上方的栅极电极；以及形成在栅极电极与漏极区域之间的绝缘层。半导体衬底与源极区域之间的寄生电容以及衬底与漏极区域之间的寄生电容被分别串联，并且看起来相当小。因此，在作为对源极(漏极)电极电压变化的跟随响应的漏极(源极)电压变化的延迟相当小。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路和半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1773726A
申请号 ：
CN200510116384.4
公开（公告）日 ：
2006-05-17
申请日 ：
2005-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
桧谷光春长泽俊夫田村晃洋
申请人 ：
株式会社瑞萨科技
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510116384.4
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L27/088 H01L21/8234
相关图片
法律状态
2021-10-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20201021
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20090715
终止日期 : 20201021
2017-12-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 29/78
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
2010-08-18 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101004164649
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101163844
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101004164649
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101163844
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2010-08-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101004164648
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101163844
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100713
号牌文件序号 : 101004164648
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005101163844
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100713
2009-07-15 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100514674C.PDF
PDF下载
2、
CN1773726A.PDF
PDF下载
