半导体集成电路器件和使用该器件的调节器
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摘要
半导体集成电路器件(IC1)包括半导体芯片(CHIP1)、第一框架引线(FR1)和第二框架引线(FR2)。半导体芯片(CHIP1)包括共基极晶体管(P1，P2)、与共基极晶体管(P1，P2)的各个发射极连接的焊点(T11，T12)、与共基极晶体管(P1，P2)的各个集电极连接的焊点(T21，T22)，和用于产生基极信号的装置(DRV，ERR，E1)。焊点(T11，T12)通过各条接合线(W11，W12)与第一框架引线(FR1)连接。焊点(T21，T22)通过各条接合线(W21，W22)与第二框架引线(FR2)连接。这种结构可以容易地检测并联接合线的断裂。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路器件和使用该器件的调节器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101160654A
申请号 ：
CN200680012637.6
公开（公告）日 ：
2008-04-09
申请日 ：
2006-03-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
北条喜之中林裕贵
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680012637.6
主分类号 ：
H01L21/822
IPC分类号 ：
H01L21/822 G01R31/02 G01R31/28 H01L21/8222 H01L27/04 H01L27/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
法律状态
2010-05-19 ：
授权
2008-06-04 ：
实质审查的生效
2008-04-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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